| 常规数据 |
| 英文名称：Silicon 中文名称：硅 |
| Symbol 元素符号 |
Si |
| Number原子序数 |
14 |
| Group Number组数 |
14 |
| Group类别 |
非金属，碳组 |
| Density密度 |
2.33 g/cm3 |
| Atomic Weight原子量(旧称分子量) |
28.0855 g/mol |
| Atomic Volume原子体积 |
12.1 cm3/mol |
| Discover发现年代 |
1824 |
|
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| 物理状态 |
| State状态 |
固体 |
| Melting Point熔点 |
1687K （1410℃） |
| Boiling Point沸点 |
3538K （2355℃） |
| Triple Point三相点 |
资料不详 |
| Critical Point临界点 |
资料不详 |
| Heat of Fusion热融合 |
50.21 千焦/摩尔 |
| Heat of Vaporization汽化热 |
359 千焦/摩尔 |
K=绝对温度 ℃=摄氏温度 |
| 能量 |
| First Ionization Energy第一电离能 |
786.4 千焦/摩尔 |
| Second Ionization Energy第二电离能 |
1577 千焦/摩尔 |
| Third Ionization Energy第三电离能 |
3231.5 千焦/摩尔 |
| Electronegativity电负性（阴电性） |
1.9 |
| Electron Affinity电子亲和性 |
133.6 千焦/摩尔 |
| Specific Heat比热 |
0.71 J/gK |
| Heat Atomization热雾化 |
452 千焦/摩尔 atoms |
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| 氧化与电子 |
| 核外电子排布式 |
2,8,4 |
| Electron Configuration价电子构型 |
[Ne] 3s2 3p2 |
| Minimum Oxidation Number最低氧化数 |
-4 |
| Maximum Oxidation Number最高氧化数 |
4 |
| Minimum Common Oxidation Number最低限度共同氧化数 |
-4 |
| Maximum Common Oxidation Number最大普通氧化数 |
4 |
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| 外观及特点 |
| Crystal Structure结晶体结构 |
钻石立方体 |
| Characteristics特征 |
半金属 |
| Color颜色 |
灰色，黑色 |
| Uses用途 |
comp芯片，润滑油，玻璃 |
| 硬度 |
7 莫氏 |
| Toxicity毒性 |
无 |
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| 化学反应 |
| Reaction with Air与空气反应 |
轻度, =>SiO2 |
| Reaction with HCl与6M的盐酸反应 |
无 |
| Reaction with 15M HNO3 与15M的硝酸反应 |
无 |
| Reaction with NaOH 与6M的氢氧化钠反应 |
轻度, =>silicates |
|
| 其他形式的化学反应 |
| Number of Isotopes数同位素 |
3 |
| Hydride氢化物 |
SiH4 Si2H6 + more |
| Oxide氧化物 |
SiO2 |
| Chloride氯化物 |
SiCl4 Si2Cl6 + more |
|
| 半径 |
| Atomic Radius原子半径 |
117.6 pm |
| Ionic Radius(1+ion)离子半径（1+离子） |
资料不详 |
| Ionic Radius(1-ion)离子半径（1-离子） |
资料不详 |
| Ionic Radius(2+ion)离子半径（2+离子） |
资料不详 |
| Ionic Radius(2-ion)离子半径（2-离子） |
资料不详 |
| Ionic Radius(3+ion)离子半径（3+离子） |
资料不详 |
|
| 电导率 |
| Thermal Conductivity导热系数 |
149 J/m-sec-deg |
| Electrical Conductivity电导率 |
0.012 1/毫欧-厘米 |
| Polarizability极化率 |
5.4 A3 |
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